Томский институт сильноточной электроники получил 300-миллионный грант
Институт сильноточной электроники СО РАН привлек федеральный грант в 305 млн рублей, чтобы в течение трех лет томским ученым сделать новый шаг в развитии синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры.
Как сообщили НИА Томск в администрации Томской области, грант институт получил по одноименной федеральной научно-технической программе, под проект «In situ методы синхротронных исследований многослойных функциональных структур с уникальными параметрами и свойствами, созданных пучково-плазменной инженерией поверхности».
В реализации проекта под руководством академика Николая Ратахина участвуют Институт ядерной физики СО РАН, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томский научный центр СО РАН, томские вузы – ТПУ, ТГУ и ТУСУР, Институт электрофизики УрО РАН, а также Уфимский государственный авиационный технический университет и предприятие авиационной промышленности «Технопарк-АТ».
Вместе они должны разработать совершенные методики исследования поверхностных слоев и покрытий с использованием синхротронного излучения и передовые технологии создания новых конструкционных материалов; представить программы подготовки кадров в этой сфере. Результатами проекта уже заинтересовались около 10 крупных и средних предприятий.
В будущем томская разработка способна снизить до года время подготовки и внедрения новых способных выдержать экстремальные условия материалов для Арктики, судостроения, авиакосмической и нефтегазовой отраслей. Сейчас этот срок составляет от нескольких до десяти лет.
«Синхротронное и нейтронное излучение являются наиболее эффективным инструментом изучения широкого класса объектов — от поверхностей и объемных материалов до жидких и биологических сред. С применением синхротронного и нейтронного излучений связывают будущие прорывы в целом ряде областей, в том числе в борьбе с распространением биологических угроз, что чрезвычайно важно в ситуации пандемии», — пояснил заведующий лабораторией пучково-плазменной инженерии поверхности ИСЭ СО РАН Владимир Денисов.